【16976】-懒小木 - 半导体器件建模仿真与分析教程
0001-1.1-半导体器件建模概述inux基础与软件安装.mp4
0001-1.2半导体物理基础简述.mp4
0001-1.3-半导体器件物理简述.mp4
0001-1.4-一维PN结的数值求解.mp4
0001-2-3TDR文件的后处理与S]-LDMOS结构建模.mp4
0001-2-4-FinFET_Nanosheet器件建模与随机涨落方法.mp4
0001-2-5-网格划分的基础知识与评价标准.mp4
0001-2.1-二维M0SFET的建模与SWB的基本原理.mp4
0001-2.2-Trench_IGBT的建模与SWwB的基本原理（二）.mp4
0001-3-1-M0SFET器件静态与瞬态特性的求解.mp4
0001-3-10-交流小信号分析.mp4
0001-3-11-交流小信号分析（二）.mp4
0001-3-12-模型参数修改与新建材料（Ga203_M0SFET与SiGe_Diode）.mp4
0001-3-13-隧穿模型与隧穿器件.mp4
0001-3-14-非完全电离各向异性与SiC_M0SFET仿真.mp4
0001-3-15极化效应与GaN HEMT.mp4
0001-3-16_sdevice求解流程、Math设置与收敛性调整思路.mp4
0001-3-2.TCL编程与SVISUAL自动化数据处理（一）.mp4
0001-3-3-器件仿真中的物理模型（一）.mp4
0001-3-4物理模型（二）与温度仿真.mp4
0001-3-5碰撞电离与击穿特性仿真.mp4
0001-3-6 SPICE模型、混合模式与sdevice编程-一个环振的仿真.mp4
0001-3-7-混合模式（二）-修改SPICE模型参数SVISUAL动国自动生成.mp4
0001-3-8-缺陷与辐照特性仿真（单粒子效应与总剂量效应）.mp4
0001-3-9-缺陷（二）与辐照特性仿真（总剂县效应）.mp4
0001-41半导体工艺技术简述.mp4
0001-工艺仿真提前梳理（临时）.mp4
0002-42版图绘制基础（上）.mp4
0003-43-版图绘制（中）-Cel处理与实用小工具.mp4
0004-44-版图绘制（下）-派生图层与宏命令编写.p4
0005-45-工艺仿真基础（一）.mp4
0006-4-6-工艺仿真基础（二）-Static与Adaptivel网格设置.mp4
0007-4-7-工艺仿真基础（三）（上）.mp4
0008-4-8-工艺仿真基础（三）（下）.mp4
0009-4-9基于ICWBEVE的工艺仿真，实现纵向和横向设计的完美分离，提高仿真效率.mp4
0010-4-10-基于1 CWBEVE的工艺仿真（二）与光电二极管仿真.mp4
0011-4-11-sprocess结构生成（刻蚀、淀积）与MG0ALS.mp4
0012-412离子注入仿真（上）.mp4
